Comprendre l'électronique par la simulation.
par Serge Dusausay  Espace lecteur  plan du site


 Article 03 
   Quelques informations supplémentaires des pages 29 à 34 du livre.


Le transistor JFET utilisé dans les articles 3 et 13 n'est pas exactement celui proposé dans la librairie d'installation (Program Files\OrCAD_demo\Capture\library\PSpice\eval.lib), mais un autre, quasi similaire, répondant mieux aux informations données dans la "data sheet" du constructeur.
On se propose de montrer ici des simulations comparatives.


Pour mémoire, le transistor "d'origine", a pour paramètre : 
.model J2N3819	NJF(Beta=1.304m Betatce=-.5 Rd=1 Rs=1 Lambda=2.25m Vto=-3
+		Vtotc=-2.5m Is=33.57f Isr=322.4f N=1 Nr=2 Xti=3 Alpha=311.7u
+		Vk=243.6 Cgd=1.6p M=.3622 Pb=1 Fc=.5 Cgs=2.414p Kf=9.882E-18
+		Af=1)
la simulation Ppsice, d'analyse rigoureusement identique que celle proposée en page 30 donne :

en provenance de probe
réseau proposé avec le JFET de la librairie


Dans l'ouvrage, le transistor est modifié, et les nouveaux paramètres apparaissent clairement dans le fichier Jcara1.cir (d'où l'intérêt de travailler avec le fichier.cir...)
Une simple comparaison montre que les valeurs des paramètres Beta, Is, Isr, Alpha, Vk, Cgs, Kf, ont été modifiées.
Ci dessous, la même information que celle publié en page 31, rappelée ici :
en provenance de probe
réseau proposé dans l'ouvrage (transistor modifié)


Les courbes sont, bien sûr, représentées avec les mêmes échelles, ce qui rend immédiat la comparaison.
On vérifie ainsi le bien fondé de la modification de certains paramètres : comme indiqué en page 31, on dispose de VGSoff typique.


Bien entendu, les écarts restent minimes, car les simulations donnent des résultats cohérents avec les caractéristiques extrêmes du transistor.

fin de l'article 03

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