Comprendre l'électronique par la simulation.
par Serge Dusausay  Espace lecteur  plan du site



 Article 02 
  Quelques informations supplémentaires des pages 23 à 28 du livre.


L'article 02 donne l'information basique sur le transistor bipolaire.
Il est proposé, sous la rubrique "pour aller plus loin" de renouveler la simulation du réseau de caractéristiques en modifiant le paramètre VAF.
Ce paramètre VAF est la "tension d'Early du transistor direct" (V : tension ; F : Forward).
Une brève explication de la tension d'Early est donnée en page 127.



L'outil Pspice est dans le CD ROM fourni dans le livre, ainsi que le fichier permettant de refaire la simulation.
Est donné ci dessous ce qu'on doit obtenir :

en provenance de probe
réseau, avec tension d'Early = 150 V (transistor modifié)

Afin de mieux apprécier les conséquences du changement de VAF, il est rappelé également le réseau d'origine, celui donné en page 25, avec VAF = 74.

en provenance de probe
réseau, avec tension d'Early = 74 V (transistor 2N2222)

Les courbes sont, bien sûr, représentées avec les mêmes échelles, ce qui rend immédiat la comparaison.

On observe bien un changement de pente des caractéristiques statiques.

D'autres exploitations sont possibles, mais sortent du cadre fixé dans un article de niveau 1.

fin de l'article 02

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